已知如图所示电路图中,电流I=10mA,I1=6mA,R1=1KΩ,R2=1KΩ,R3=2KΩ。求电流I4
第1题
第3题
已知TTL与非门的IOL=15mA(灌电流),IOH=400μA(拉电流),UOH=3.6V,UOL=0.3V;发光二极管正向导通电压UD=2V,正向电流ID=5~10mA:三极管导通时UBE=0.7V,饱和压降UCES=0.3V,β=50.求图2.16所示两个发光二极管驱动电路中R及RB的取值范围(不必规范化).
第4题
A.0.6kΩ
B.0.85kΩ
C.1.47kΩ
D.2.5kΩ
第5题
已知N沟道增强型MOSFET的μ=1000cm2/V.s,
Cv=3x10-8F/cm2,W/l=1/1.47,|VA|=200V,VDS=10V,工作在饱和区,试求:(1)漏极电流IDQ分别为1mA、10mA时相应的跨导gm,输出电阻rds,放大因子μ.(2)当VDS增加10%时,相应的IDQ值.(3)画出小信号电路模型.
第6题
放大电路如图所示,已知工作频率,回路电感,空载品质因数,匝数比分别为,;晶体管工作点电流,,;负载且为纯电阻性。试求放大器的谐振电压增益和通频带。
第7题
在如图所示三相电路中,已知Za=(3+j4)Ω,Zb=(8-j6)Ω,电源线电压为380V,求电路的总有功功率、无功功率和视在功率以及从电源取用的电流。
第11题
图4-7所示RLC电路t=0时开关S闭合,求电流i(1).(已知)