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[判断题]

双芯片产品加工时要优先加工兰膜。()

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更多“双芯片产品加工时要优先加工兰膜。()”相关的问题

第1题

双芯片产品加工时,必须先加工使用导电胶的芯片,再加工使用绝缘胶的芯片。()
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第2题

双芯片产品加工时应注意()。

A.核对流程卡备注栏要求粘片

B.先粘B芯片,再粘A芯片

C.先粘导电胶的芯片,再粘绝缘胶的芯片

D.根据所配芯片加工

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第3题

在宝石加工时,粗细盘要交替使用,粗细盘的好坏直接影响宝石刻面的加工质量。()
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第4题

上芯后兰膜检查项目有哪些()。

A.顶针孔是否有顶破兰膜

B.顶针孔位置是否位于芯片中心

C.兰膜上是否有硅渣及背崩残留

D.是否漏好芯片

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第5题

在三坐标机床上加工时,如进行圆弧插补,要规定加工所在平面,YZ平面用()表示。

A.G18

B.G19

C.G20

D.G17

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第6题

关于上芯顶针痕迹监控项目,描述错误的有:()。

A.上芯顶针痕迹检查频次为1次/批

B.在100X显微镜下检查顶针痕迹时,如果顶针痕迹不清晰,未造成明显的不良,则判定为合格

C.MOSFET产品在100X显微镜下检查时,如有顶针印记,则判断为不良

D.在监控顶针痕迹时,必须使用设备的pickdie功能从晶圆上吸取芯片做样品监控,不允许使用镊子从兰膜上直接夹取

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第7题

作业员对卸下的兰膜检查项目有()。

A.漏粘好芯片

B.顶针印迹偏移

C.背崩

D.粘边缘片

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第8题

上芯后的兰膜目测检查项目有()。

A.顶针是否偏移

B.是否有背崩

C.是否漏芯片

D.是否有沾污

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第9题

上芯后兰膜检查项目有()。

A.顶针孔位置是否位于芯片中心

B.顶针孔是否有顶破兰膜,造成兰膜缺损

C.多顶针系统顶针印痕迹轻重程度是否一致

D.兰膜上是否有硅渣及背崩残留

E.背金属晶圆是否有背金属脱落现象

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第10题

扩孔加工不能纠正钻孔加工时产生的轴线偏移。()
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第11题

工件的各表面不需要全部加工时,应以不加工表面作为粗基准。()
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