关于“复合中心”，以下说法正确的是：（)。

A.在辐射复合过程中，电子从高能级向低能级跃迁，伴随着发射光子，就是半导体发光

B.处于激发态上的受激电子跃迁回基态的辐射复合，才可能实现发光

C.在辐射复合过程中，电子从高能级向低能级跃迁，伴随着发射声子，就是半导体发光

D.在非辐射复合过程中，电子从高能态向低能态跃迁的同时向晶格发射声子，就是半导体发光

A.强调个体对自我的评价

B.治疗的目的是要揭示并改变那些中心的深层的错误观念

C.治疗手段直接接近中心的深层的错误观念

D.治疗手段从边缘、表层的错误观念入手

关于t分布，以下说法不正确的是

A、t分布是一种连续性分布

B、是以0为中心的对称分布

C、t分布就是样本均数的分布

D、当自由度为无穷大时，t分布就是标准正态分布

E、t分布的曲线形状固定

A.带来新商机

B.能够留住客户

C.增大开支

D.提高工作效率

A、可直接由急性牙髓炎向根尖周扩展而来

B、临床上称为急性牙槽脓肿

C、突破口的位置常靠近唇颊侧牙龈

D、脓肿中心为坏死液化的组织和脓细胞

E、以上全对

B、电离的杂质会引起载流子的散射，从而影响载流子的迁移率

C、中性杂质不会对半导体产生影响

D、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于所有的杂质都会破坏晶格周期性势场，所以对载流子迁移率的影响是两种杂质浓度之和

E、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于杂质的补偿作用，对载流子浓度的影响是两种杂质浓度之差

F、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，而且施主杂质浓度等于受主杂质浓度，由于杂质的补偿作用，该半导体材料属于本征半导体

G、杂质会在半导体的禁带中引入能级

H、如果杂质能级较浅，则杂质易于电离，可为半导体提供导电的载流子或改变半导体的导电类型，如掺入硅中的磷

I、如果杂质能级较深，则杂质不易于电离，可能形成复合中心或陷阱中心

J、如果杂质能级(深能级)的位置在EF附近，该杂质可有效促进载流子的复合，缩短非平衡载流子的寿命，起复合中心的作用，如掺入硅中的金

K、如果杂质能级(深能级)的位置在Ei附近，该杂质可暂时收容非平衡载流子，延长了非平衡载流子的寿命，起陷阱中心的作用

关于桃拉综合征的防控措施说法错误的是（）

A、用复合碘溶液进行预防

B、虾池水质保持偏酸性

C、在饲料中添加生物活性物质

D、划区管理

关于脑与脏腑精气的关系，以下说法不恰当的是()

A、脑为元神之府，其机能与五脏皆相关

B、以五脏为中心的整体观将脑的生理病理归于心而分属于五脏

C、脑所主元神可分为神、魂、魄、意、志五种不同的表现

D、五脏精气充沛畅达是脑的功能正常发挥的基础

E、脑的病变当从五脏论治

A.是具有菲环结构的生物碱

B.含有6个手性中心

C.立体构象呈T型

D.有效的吗啡构型是左旋体

E.右旋吗啡完全没有镇痛及其他生理活性

关于分线角技术以下说法错误的是

A．胶片的感光面置于被照牙的舌腭侧，尽量使胶片贴和被照部位的组织面

B．胶片边缘需与切缘或抬面平行并超出1cm左右

C．投照上下颌切牙时，使被照牙唇面与地面垂直

D．投照上颌后牙时，听口线与地面平行；投照下颌后牙时，听鼻线与地面平行

E．X线片的中心射线必须与牙长轴和胶片所成角度的分角线垂直

下列关于脑电图检查癫痫，说法错误的是

A．是诊断癫痫的重要辅助诊断依据

B．脑电图正常可排除癫痫

C．常表现为棘波、尖波、棘慢波、尖慢复合波

D．对局限性癫痫的诊断具有重要意义

E．部分癫痫患者发作间歇期仍有异常的脑电图