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[多选题]

关于双芯片上芯产品的上芯控制要求,以下哪些说法是正确的()

A.双芯片上芯产品,一次上芯应先加工导电胶粘片的产品

B.一次上芯后,应进行烘烤后,方可进行二次上芯

C.二次上芯产品烘烤后,可以放置在生产现场的货架上,不必要放在氮气柜中

D.双芯片上芯产品,应优先粘MOS芯片

E.DIP双芯片产品,如发现MOS芯片使用DAD系列粘片胶的,应立即停机反馈

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更多“关于双芯片上芯产品的上芯控制要求,以下哪些说法是正确的()”相关的问题

第1题

对于双芯片上芯产品,上芯应先加工绝缘胶产品。()
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第2题

双芯片产品上芯时应优先加工导电胶产品。()
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第3题

造成芯片位置不良的因素有()。

A.芯片位置调整错误(角度、方向、位置超出压焊图及质量标准要求)

B.上芯设备调试不当

C.因装片胶中有异物等原因导致芯片不平整(平整度大于1mils)

D.引线框架上料未核对方向

E.上芯后产品传递不规范

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第4题

针对甩胶、DAF膜上芯产品,芯片四周可以不出胶。()
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第5题

关于上芯顶针痕迹监控项目,描述错误的有:()。

A.上芯顶针痕迹检查频次为1次/批

B.在100X显微镜下检查顶针痕迹时,如果顶针痕迹不清晰,未造成明显的不良,则判定为合格

C.MOSFET产品在100X显微镜下检查时,如有顶针印记,则判断为不良

D.在监控顶针痕迹时,必须使用设备的pickdie功能从晶圆上吸取芯片做样品监控,不允许使用镊子从兰膜上直接夹取

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第6题

按照《上芯过程控制计划》要求抽检完的产品在框架()打钩。

A.右下角

B.右上角

C.左下角

D.左上角

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第7题

关于上芯顶针痕迹监控项目,描述正确的有()
关于上芯顶针痕迹监控项目,描述正确的有()

A、上芯顶针痕迹检查频次为1次/批

B、在100X显微镜下检查顶针痕迹时,如果顶针痕迹不清晰,未造成明显的不良,则判定为合格

C、MOSFET产品在100X显微镜下检查时,如有顶针印记,则判断为不良

D、在监控顶针痕迹时,必须使用设备的pickdie功能从晶圆上吸取芯片做样品监控,不允许使用镊子从兰膜上直接夹取

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第8题

上芯产品外观品质要满足()要求。

A.客户

B.集成电路装片质量标准

C.生产控制计划

D.部门领导

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第9题

WAFERMAPPING产品在上芯过程中若出现跳行。跳列有芯片遗漏在蓝膜上时应该:()。

A.从圆片起始位置重新跳步做起

B.手工补片或移行后重做

C.关掉MAP捡拾遗漏芯片

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第10题

下列关于软声卡的说法正确的是()

A.将主处理芯片的功能加入北桥芯片中主板上只有一块解码芯片

B.工作时占用CPU时间要比独立声卡和硬声卡多

C.声音处理由CPU完成速度快音质好

D.将解码芯片的功能集成到南桥芯片中,主板上只有一块主处理芯片

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第11题

我司实施SPC的控制点及控制项目有划片工序刀痕宽度;切筋工序管脚共面性以及()。

A.上芯工序芯片剪切力

B.压焊工序焊丝拉力

C.焊球推力

D.电镀工序镀层厚度

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